công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STK850 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STK850 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 12 page Electrical characteristics STK850 4/12 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 3. On/off Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 250µA, VGS= 0 30 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = Max rating, VDS = Max rating,Tc=125°C 1 10 µA µA IGSS Gate body leakage current (VDS = 0) VGS = ±16V ± 100 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250µA 12.5 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS= 10V, ID= 15A VGS= 4.5V, ID= 15A 0.0024 0.0029 0.0029 0.0035 Ω Ω Table 4. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (1) 1. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VDS =10V, ID = 15A 48 S Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS =25V, f=1 MHz, VGS=0 3150 940 90 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge VDD=15V, ID = 30A VGS =4.5V (see Figure 14) 24.5 8 8.2 32.5 nC nC nC |
Số phần tương tự - STK850 |
|
Mô tả tương tự - STK850 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |