STI50DE100 datasheet(4/11 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	STI50DE100

Giải thích chi tiết về linh kiện	Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1000 V - 50 A - 0.026 ohm

Download	11 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

4 / 11 page

Electrical characteristics

STI50DE100

4/11

2

Electrical characteristics

(Tcase = 25°C unless otherwise specified)

Table 3.

Electrical characteristics

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Unit

ICS(SS)

Collector-source current

(VBS = VGS = 0)

VCE = 1000V

100

µA

IBS(OS)

Base-source current

(IC = 0, VGS = 0)

VBS(OS) = 40V

10

µA

ISB(OS)

Source-base current

(IC = 0, VGS = 0)

VSB(OS) = 10V

100

µA

IGS(OS)

Gate-source leakage

VGS = ± 20V

500

nA

VCS(ON)

Collector-source ON

voltage

VGS = 10V IC = 50A IB = 10A

VGS = 10V_IC = 30A IB = 3A

1.3

1.1

V

hFE

DC current gain

VGS = 10V_IC = 50A VCS = 1V

VGS = 10V_IC = 30A VCS = 1V

3

6

7

13

VBS(ON) Base Source ON voltage

VGS = 10V_ IC = 50A IB = 10A

VGS = 10V_ IC = 30A_ IB = 3A

2.2

1.4

V

VGS(th)

Gate threshold voltage

VBS = VGS ______IB = 250µA

33.7

4.5

V

CISS

Input capacitance

VCS = 25V ______f = 1MHz

VGS = VCB = 0

2500

pF

QGS(tot)

Gate-source charge

VCS = 25V _____VGS = 10V

VCB = 0

IC = 50A

60

nC

ts

tf

INDUCTIVE LOAD

Storage time

Fall time

IC = 25A IB = 5A VGS = 10V

VClamp = 800V RG = 47Ω

tp = 4µs

(see figure 13)

650

10

ns

ts

tf

INDUCTIVE LOAD

Storage time

Fall time

IC = 25A IB = 2.5A VGS = 10V

VClamp = 800V RG = 47Ω

tp = 4µs

(see figure 13)

430

6

ns

VCSW

Maximum collector-

source voltage switched

without snubber

RG = 47Ω hFE = 5A IC = 35A

1000

V

VCS(dyn)

Collector-source

dynamic voltage

(500ns)

VCC = VClamp = 300V VGS = 10V

RG = 47Ω

IC = 5A IB = 5A

IBpeak = IC = 25A

tpeak = 500ns

5.5

V

VCS(dyn)

Collector-source

dynamic voltage

(1 µs)

VCC = VClamp = 300V VGS = 10V

RG = 47Ω

IC = 5A IB = 5A

IBpeak = IC = 25A

tpeak = 500ns

4.8

V

Số phần tương tự - STI50DE100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STI5100	89Kb / 2P	Low-cost interactive set-top box decoder
	STI5100-MBOARD	89Kb / 2P	Low-cost interactive set-top box decoder
	STI5100-REF	89Kb / 2P	Low-cost interactive set-top box decoder
	STI5100-STDVB	89Kb / 2P	Low-cost interactive set-top box decoder
	STI5100ZUA	89Kb / 2P	Low-cost interactive set-top box decoder

More results

Mô tả tương tự - STI50DE100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STE50DE100	271Kb / 9P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1000 V - 50 A - 0.026 W POWER MODULE
	STE50DE100	308Kb / 11P	Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1000V - 50A - 0.026 ohm
	STC05DE150	165Kb / 4P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 5 A - 0.10 ohm
	STC03DE170HV	288Kb / 9P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 OHM
	STC08DE150	264Kb / 9P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 8 A - 0.075 OHM
	STC03DE150	327Kb / 9P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 3 A - 0.55 ohm
	STC03DE170	329Kb / 9P	HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm
	STC03DE220HV	104Kb / 7P	Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 ?
	STC03DE220HP	128Kb / 7P	Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 ?
	STC20DE90HV	255Kb / 11P	Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 900V - 20A - 0.06 ohm

More results

STI50DE100 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics

STI50DE100 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics

Số phần tương tự - STI50DE100

Mô tả tương tự - STI50DE100

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

bảng dữ liệu tải về

Link URL