công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW34NB20 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STW34NB20 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 10 page STW34NB20 4/10 Table 11. Source Drain Diode Note: 1. Pulse width limited by safe operating area 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Figure 3. Safe Operating Area Figure 4. Thermal Impedance Figure 5. Output Characteristics Figure 6. Transfer Characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain Current 34 A ISDM (1) Source-drain Current (pulsed) 136 A VSD (2) Forward On Voltage ISD = 34 A; VGS = 0 1.5 V trr Reverse Recovery Time ISD = 34 A; di/dt = 100 A/µs 290 ns Qrr Reverse RecoveryCharge VDD = 50 V; Tj = 150 °C (see test circuit, Figure 18) 2.7 µC IRRAM Reverse RecoveryCharge 18.5 A |
Số phần tương tự - STW34NB20_04 |
|
Mô tả tương tự - STW34NB20_04 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |