công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STI270N4F3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STI270N4F3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 15 page Electrical characteristics STB270N4F3 - STI270N4F3 - STP270N4F3 4/15 2 Electrical characteristics (TCASE=25°C unless otherwise specified) Table 3. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage ID = 250µA, VGS= 0 40 V IDSS Zero gate voltage drain current (VGS = 0) VDS = Max rating, VDS = Max rating @125°C 10 100 µA µA IGSS Gate body leakage current (VDS = 0) VGS = ±20V ± 200 nA VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250µA 24 V RDS(on) Static drain-source on resistance VGS= 10V, ID= 80A TO-220 I²PAK 2.5 2.9 m Ω D²PAK 2.1 2.5 m Ω Table 4. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (1) 1. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward transconductance VDS =15V, ID = 80A 200 S Ciss Coss Crss Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance VDS =25V, f=1 MHz, VGS=0 740 0 180 0 47 pF pF pF Qg Qgs Qgd Total gate charge Gate-source charge gate-drain charge VDD=20V, ID = 160A VGS =10V (see Figure 13) 110 27 25 150 nC nC nC |
Số phần tương tự - STI270N4F3 |
|
Mô tả tương tự - STI270N4F3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |