công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRFW740A bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
|
IRFW740A bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Fairchild Semiconductor |
3 / 7 page IRFW/I740A 10 -1 10 0 10 1 10 -1 10 0 10 1 @ Notes : 1. 250 µs Pulse Test 2. T C = 25 oC V GS Top : 15V 10 V 8.0 V 7.0 V 6.0 V 5.5V 5.0 V Bottom : 4.5V V DS , Drain-Source Voltage [V] 24 68 10 10 -1 10 0 10 1 25 oC 150 oC - 55 oC @ Notes : 1. V GS = 0 V 2. V DS = 50 V 3. 250 µs Pulse Test V GS , Gate-Source Voltage [V] 0 10 203040 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 @ Note : T J = 25 oC V GS = 20 V V GS = 10 V I D , Drain Current [A] 0.20.40.60.81.01.21.4 10 -1 10 0 10 1 150 oC 25 oC @ Notes : 1. V GS = 0 V 2. 250 µsPulse Test V SD , Source-Drain Voltage [V] 10 0 10 1 0 500 1000 1500 2000 C iss= Cgs+ Cgd ( Cds= shorted ) C oss = C ds + C gd C rss = C gd @ Notes : 1. V GS = 0 V 2. f = 1 MHz C rss C oss C iss V DS , Drain-Source Voltage [V] 0 102030 4050 60 0 5 10 V DS = 320 V V DS = 200 V V DS = 80 V @ Notes : I D = 10.0 A Q G , Total Gate Charge [nC] 1&+$11(/ 32:(5 026)(7 Fig 1. Output Characteristics Fig 2. Transfer Characteristics Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current |
Số phần tương tự - IRFW740A |
|
Mô tả tương tự - IRFW740A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |