công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF8NK100Z bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STF8NK100Z bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 13 page STF8NK100Z - STP8NK100Z 2 Electrical characteristics 3/13 2 Electrical characteristics (TCASE = 25 °C unless otherwise specified) Table 4. On/off states Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage ID = 1mA, VGS= 0 1000 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current (VGS = 0) VDS = Max Rating, VDS = Max Rating,Tc = 125°C 1 50 µA µA IGSS Gate Body Leakage Current (VDS = 0) VGS = ±20V ± 10 µA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID = 100 µA 33.75 4.5 V RDS(on) Static Drain-Source On Resistance VGS= 10 V, ID= 3.15 A 1.60 1.85 Ω Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit gfs Note 6 Forward Transconductance VDS =15V, ID=3.15 A 7S Ciss Coss Crss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance VDS =25V, f=1 MHz, VGS=0 2180 174 36 pF pF pF Coss eq. Note 5 Equivalent Output Capacitance VGS=0V, VDS=0 to 800V 83 pF Qg Qgs Qgd Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD=800V, ID = 6.3A VGS =10V (see Figure 17) 73 12 40 102 nC nC nC |
Số phần tương tự - STF8NK100Z |
|
Mô tả tương tự - STF8NK100Z |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |