công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU2527DF bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2527DF bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2527DF Fig.1. Switching times waveforms. Fig.2. Switching times definitions. Fig.3. Definition of anti-parallel diode V fr and tfr Fig.4. Switching times test circuit. Fig.5. Test Circuit RBSOA. V CC = 140 V; -VBB = 4 V; L C = 100 - 200 µH; VCL ≤ 1500 V; LB = 3 µH; C FB = 1 - 2.2 nF; IB(end) = 1 - 2 A Fig.6. Typical DC current gain. h FE = f (IC) parameter V CE V ICsat I end 16 us 6.5 us 5 us t t t TRANSISTOR DIODE B I C I B CE + 150 v nominal adjust for ICsat Lc Cfb D.U.T. LB IBend -VBB Rbe LB IBend -VBB LC T.U.T. VCC VCL CFB Rbe ICsat 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM time time V F V fr V F I F fr t 10% 5 V I F BU2525DF 0.1 1 10 100 1 10 100 hFE IC / A 5 V 1V Tj = 25 C Tj = 125 C September 1997 3 Rev 1.200 |
Số phần tương tự - BU2527DF |
|
Mô tả tương tự - BU2527DF |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |