công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU2520AF bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2520AF bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 8 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2520AF Fig.17. Forward bias safe operating area. T hs = 25 ˚C I CDC & ICM = f(VCE); ICM single pulse; parameter tp Second-breakdown limits independant of temperature. Mounted with heatsink compound. BU2520AF IC / A 100 10 1 0.1 0.01 1 10 100 1000 VCE / V 100 us 1 ms 10 ms DC 30 us tp = Ptot ICM ICDC = 0.01 September 1997 6 Rev 1.500 |
Số phần tương tự - BU2520AF |
|
Mô tả tương tự - BU2520AF |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |