công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH2002DI bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STTH2002DI bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 10 page Characteristics STTH2002 4/10 Figure 5. Junction capacitance versus reverse applied voltage (typical values) Figure 6. Reverse recovery charges versus dIF/dt (typical values) 10 100 1000 1 10 100 1000 C(pF) F=1MHz V osc=30mVRMS T j=25°C VR(V) 0 50 100 150 200 250 300 350 400 10 100 1000 Q RR(nC) I F = 20 A V R = 160 V T j=125 °C T j=25 °C dIF/dt(A/µs) Figure 7. Reverse recovery time versus dIF/dt (typical values) Figure 8. Peak reverse recovery current versus dIF/dt (typical values) Figure 9. Dynamic parameters versus junction temperature Figure 10. Thermal resistance, junction to ambient, versus copper surface under tab (Epoxy printed circuit board FR4, ecu = 35 µm) for D 2PAK 0 10 20 30 40 50 60 70 80 10 100 1000 t RR(ns) I F=20A V R=160V T j = 125 °C T j = 25 °C dIF/dt(A/µs) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 10 100 1000 I RM(A) I F= 20 A V R= 160 V T j=125 °C T j=25 °C dIF/dt(A/µs) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 25 50 75 100 125 150 Q RR;IRM [Tj]/ QRR;IRM [Tj=125°C] I RM Q RR I F=20 A V R= 160 V Tj(°C) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0 5 10 15 20 25 30 35 40 R th(j-a)(°C/W) D²PAK SCU(cm²) |
Số phần tương tự - STTH2002DI |
|
Mô tả tương tự - STTH2002DI |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |