công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU2506 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
BU2506 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2506DF Fig.12. Forward bias safe operating area. T hs = 25˚C I Region of permissible DC operation. II Extension for repetitive pulse operation. NB: Mounted with heatsink compound and 30 ± 5 newton force on the centre of the envelope. Fig.13. Forward bias safe operating area. T hs = 25˚C I Region of permissible DC operation. II Extension for repetitive pulse operation. NB: Mounted without heatsink compound and 30 ± 5 newton force on the centre of the envelope. 1 100 100 10 1 0.1 0.01 10 1000 I tp = 10 us 100 us 1 ms 10 ms DC IC / A VCE / V ICM max IC max Ptot max = 0.01 II 1 100 100 10 1 0.1 0.01 10 1000 I tp = 10 us 100 us 1 ms 10 ms DC IC / A VCE / V ICM max IC max II = 0.01 Ptot max September 1997 5 Rev 1.400 |
Số phần tương tự - BU2506 |
|
Mô tả tương tự - BU2506 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |