công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU1706AX bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
BU1706AX bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU1706AX Fig.13. Forward bias safe operating area. T hs = 25 ˚C I Region of permissible DC operation. II Extension for repetitive pulse operation. NB: Mounted with heatsink compound and 30 ± 5 newton force on the centre of the envelope. Fig.14. Typical collector-emitter saturation voltage. V CEsat = f(IB); parameter IC Fig.15. Typical DC current gain. h FE = f(IC); parameter VCE Fig.16. Reverse bias safe operating area. T j ≤ Tjmax IC / A VCE / V 0.01 0.1 1 10 1 10 100 1000 tp = 100 us 1 ms 10 ms DC CDC I CM I tot P 0.01 1 IC / A BU1706A 100 10 1 0.1 0.1 10 h FE 1 V 5 V Tj = 25 C Tj = 125 C 6 5 4 3 2 1 0 0 400 800 1200 1600 2000 IC / A BU1706A VCE / V 0.01 1 IB / A VCESAT / V BU1706A 10 1 0.1 0.01 0.1 10 IC = 0.5A 1.5 A 2A 3A Tj = 25 C Tj = 125 C April 1994 5 Rev 1.000 |
Số phần tương tự - BU1706AX |
|
Mô tả tương tự - BU1706AX |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |