NGD8205N datasheet(5/7 Pages) ONSEMI

tên linh kiện	NGD8205N

Giải thích chi tiết về linh kiện	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N?묬hannel DPAK

Download	7 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	ONSEMI [ON Semiconductor]

Trang chủ	http://www.onsemi.com

Logo

5 / 7 page

NGD8205N

http://onsemi.com

5

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

−50

75

100

25

0

125

−25

175

Mean + 4 s

Mean − 4 s

Mean

VGE, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)

1.50

0.25

0

2.50

0.75

1.25

2.00

6

4

0

8

10

12

Figure 7. Transfer Characteristics

Figure 8. Collector−to−Emitter Leakage

Current vs. Temperature

Figure 9. Gate Threshold Voltage vs.

Temperature

Figure 10. Capacitance vs.

Collector−to−Emitter Voltage

Figure 11. Resistive Switching Fall Time vs.

Temperature

Figure 12. Inductive Switching Fall Time vs.

Temperature

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

TJ = 175°C

50

75

25

100

175

150

tfall

VCC = 300 V

VGE = 5.0 V

RG = 1000 W

IC = 9.0 A

L = 300 mH

1.5

3

3.5

2.5

4

2

0.5

20

10

40

0

30

0

VCE = 5 V

50

150

0.50

1.00

1.75

2.25

2

125

tdelay

10000

1000

100

10

0.1

VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)

015

525

10

20

Crss

Ciss

Coss

1.0

6

4

0

8

10

12

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

75

50

100

175

150

tfall

VCC = 300 V

VGE = 5.0 V

RG = 1000 W

IC = 9.0 A

RL = 33 W

2

25

125

tdelay

25

15

45

5

35

1

TJ = −40°C

TJ = 25°C

100000

1000

100

10

0.1

TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)

050

25

−25

125

175

75

100

150

VCE = 175 V

1.0

−50

VCE = −24 V

10000

Số phần tương tự - NGD8205N

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
ON Semiconductor	NGD8205NT4G	117Kb / 7P	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK January, 2012 ??Rev. 9
ON Semiconductor	NGD8205N	117Kb / 7P	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK January, 2012 ??Rev. 9

More results

Mô tả tương tự - NGD8205N

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
ON Semiconductor	NGD8205N	117Kb / 7P	Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N.Channel DPAK January, 2012 ??Rev. 9
	NGB8206N	118Kb / 7P	Ignition IGBT 20 A, 350 V, N?묬hannel D2PAK August, 2006 ??Rev. 6
	MGP19N35CL	282Kb / 12P	Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N?묬hannel TO??20 and D-2PAK February, 2005 ??Rev. XXX
Littelfuse	LGB8206ATI	443Kb / 9P	350 V, 20 A N-Channel Ignition IGBT 4/27/2020
ON Semiconductor	NTD24N06G	75Kb / 8P	Power MOSFET 60 Volt, 24 Amp N?묬hannel DPAK August, 2005 ??Rev. 4
	NGP8203N	144Kb / 7P	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N?묬hannel TO??20 August, 2006 ??Rev. 1
	NGB8207N	91Kb / 7P	Ignition IGBT 20 A, 365 V, N?묬hannel D2PAK January, 2007 ??Rev. 0
	NGB8207AN	153Kb / 7P	Ignition IGBT 20 A, 365 V, N?묬hannel D2PAK July, 2009 ??Rev. 0
	NGD8201N	125Kb / 8P	Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel DPAK February, 2012 ??Rev. 10
	NGB8206N	130Kb / 8P	Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK February, 2012 ??Rev. 9

More results

NGD8205N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - ON Semiconductor

NGD8205N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - ON Semiconductor

Số phần tương tự - NGD8205N

Mô tả tương tự - NGD8205N

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

bảng dữ liệu tải về

Link URL