công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD11NM60N-1 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STD11NM60N-1 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 17 page STD11NM60N - STD11NM60N-1 - STF11NM60N - STP11NM60N Electrical characteristics 5/17 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD=300V, ID=5A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 17) 22 18.5 50 12 ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit ISD ISDM Source-drain current Source-drain current (pulsed) 10 40 A A VSD (1) 1. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 10A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=10A, di/dt =100A/µs, VDD=100V, Tj=25°C (see Figure 22) 340 3.26 19.2 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current VDD=100V di/dt =100A/µs, ISD=10A Tj=150°C (see Figure 22) 460 4.42 19.2 ns µC A |
Số phần tương tự - STD11NM60N-1 |
|
Mô tả tương tự - STD11NM60N-1 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |