SI1499DH datasheet(5/6 Pages) VISHAY

tên linh kiện	SI1499DH

Giải thích chi tiết về linh kiện	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

Download	6 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	VISHAY [Vishay Siliconix]

Trang chủ	http://www.vishay.com

Logo

5 / 6 page

Document Number: 73338

S-61963-Rev. C, 09-Oct-06

www.vishay.com

5

Vishay Siliconix

Si1499DH

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless noted

*The power dissipation PD is based on TJ(max) = 175 °C, using junc-

tion-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the

upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is

used. It is used to determine the current rating, when this rating falls

below the package limit.

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless noted

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Tech-

nology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability

data, see http://www.vishay.com/ppg?73338.

Current Derating*

0

1

2

3

4

5

6

0

25

50

75

100

125

150

175

TC - Case Temperature (°C)

Package Limited

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

10

1

10

600

10-1

-2

-3

-4

10

100

2

1

0.1

0.01

0.2

0.1

0.05

0.02

Single Pulse

Duty Cycle = 0.5

Square Wave Pulse Duration (sec)

1. Duty Cycle, D =

2. Per Unit Base = R thJA = °C/W

3. TJM - TA = PDMZthJA(t)

t1

t2

t1

t2

Notes:

4. Surface Mounted

PDM

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case

10-3

10-2

110

10-1

10-4

2

1

0.1

0.01

0.2

0.1

0.05

0.02

Duty Cycle = 0.5

Square Wave Pulse Duration (sec)

Single Pulse

0.05

0.02

Số phần tương tự - SI1499DH

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SI1499DH	106Kb / 6P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET S-80579-Rev. E, 17-Mar-08
	SI1499DH	252Kb / 11P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET 01-Jan-2022
	SI1499DH-T1-E3	106Kb / 6P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET S-80579-Rev. E, 17-Mar-08
VBsemi Electronics Co.,...	SI1499DH-T1-GE3	1Mb / 9P	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI1499DH	106Kb / 6P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET S-80579-Rev. E, 17-Mar-08

More results

Mô tả tương tự - SI1499DH

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SIB417EDK	218Kb / 9P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Rev. B, 10-Aug-09
	SI8429DB-T1-E1	215Kb / 11P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET Rev.D, 19-Aug-13
	SI1499DH	106Kb / 6P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET S-80579-Rev. E, 17-Mar-08
	SI1499DH	245Kb / 12P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET Rev. F, 05-Apr-10
	SIB417DK	146Kb / 7P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Rev. D, 26-May-08
	SIB417AEDK	238Kb / 9P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET Rev. A, 01-Oct-12
	SI1499DH	252Kb / 11P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET 01-Jan-2022
	SI8429DB	240Kb / 10P	P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET 01-Jan-2022
	SIB417EDK	217Kb / 9P	P-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET 01-Jan-2022
	SIB414DK	154Kb / 7P	N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Rev. C, 10-Mar-08

More results

SI1499DH bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Vishay Siliconix

SI1499DH bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Vishay Siliconix

Số phần tương tự - SI1499DH

Mô tả tương tự - SI1499DH

Html Pages

1 2 3 4 5 6

bảng dữ liệu tải về

Link URL