công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BC368 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BC368 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 8 page 1999 Apr 26 3 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistor BC368 THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. CHARACTERISTICS Tj =25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 150 K/W SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT ICBO collector cut-off current IE = 0; VCB =25V − 100 nA IE = 0; VCB =25V; Tj = 150 °C − 10 µA IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB =5V − 100 nA hFE DC current gain IC = 5 mA; VCE =10V 50 − IC = 500 mA; VCE = 1 V; see Fig.2 85 375 IC = 1 A; VCE = 1 V; see Fig.2 60 − VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 1 A; IB = 100 mA − 500 mV VBE base-emitter voltage IC = 5 mA; VCE =10V − 700 mV IC = 1 A; VCE =1V − 1V fT transition frequency IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 40 − MHz DC current gain ratio of the complementary pairs I C = 500 mA; VCE =1V − 1.6 h FE1 h FE2 ----------- |
Số phần tương tự - BC368 |
|
Mô tả tương tự - BC368 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |