công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB10NK60ZT4 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STB10NK60ZT4 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 19 page STB10NK60Z/-1 - STP10NK60Z/FP - STW10NK60Z 1 Absolute maximum ratings 3/19 Table 3. Avalanche characteristics Table 4. Gate-source zener diode 1.1 PROTECTION FEATURES OF GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES The built-in back-to-back Zener diodes have specifically been designed to enhance not only the device’s ESD capability, but also to make them safely absorb possible voltage transients that may occasionally be applied from gate to source. In this respect the Zener voltage is appropriate to achieve an efficient and cost-effective intervention to protect the device’s integrity. These integrated Zener diodes thus avoid the usage of external components. Symbol Parameter Max Value Unit IAR Avalanche Current, repetitive or Not-Repetitive (pulse width limited by Tj max) 9A EAS Single Pulse Avalanche Energy (starting Tj=25°C, ID=IAR, VDD= 50V) 300 mJ EAR Repetitive Avalanche Energy (pulse width limited by Tj max) 3.5 mJ Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit BVGSO Gate-Source Breakdown Voltage Igs=±1mA (Open Drain) 30 V |
Số phần tương tự - STB10NK60ZT4 |
|
Mô tả tương tự - STB10NK60ZT4 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |