công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ111SE3045A bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG |
|
BUZ111SE3045A bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Infineon Technologies AG |
2 / 8 page BUZ 111S Data Sheet 2 05.99 Thermal Characteristics Parameter Values Symbol Unit typ. max. min. Characteristics RthJC - - 0.5 K/W Thermal resistance, junction - case - Thermal resistance, junction - ambient, leded RthJA - 62 - - - - 62 40 SMD version, device on PCB: @ min. footprint @ 6 cm2 cooling area2) RthJA Electrical Characteristics, at Tj = 25 ˚C, unless otherwise specified Parameter Symbol Unit Values min. max. typ. Static Characteristics Drain- source breakdown voltage VGS = 0 V, ID = 0.25 mA - V(BR)DSS 55 - V Gate threshold voltage, VGS = VDS ID = 240 µA VGS(th) 4 3 2.1 Zero gate voltage drain current VDS = 50 V, VGS = 0 V, Tj = 25 ˚C VDS = 50 V, VGS = 0 V, Tj = 150 ˚C - - IDSS µA 1 100 0.1 - Gate-source leakage current VGS = 20 V, VDS = 0 V IGSS - 10 nA 100 Drain-Source on-state resistance VGS = 10 V, ID = 80 A RDS(on) - 0.0065 0.008 Ω 1current limited by bond wire 2 Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70µm thick) copper area for drain connection. PCB is vertical without blown air. |
Số phần tương tự - BUZ111SE3045A |
|
Mô tả tương tự - BUZ111SE3045A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |