công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TP2314A bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
TP2314A bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
1 / 1 page A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS T C = 25 OC SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS BVCEO IC = 50 mA 16 V BVCES IC = 50 mA 36 V BVCBO IC = 50 mA 36 V ICBO VCB = 15 V 1.0 mA BVEBO IE = 1.0 mA 4.0 V hFE VCE = 5.0 V IC = 50 mA 20 200 --- Cob VCB = 12.5 V f = 1.0 MHz 15 pF GPE η η VCC = 6.0 V Pout = 1.0 W f = 175 MHz 6.0 50 dB % NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR TP2314A DESCRIPTION: The TP2314A is a High Frequency Transistor Designed for Large Signal Power Amplifier Applications,With Emitter Grounded to Case. MAXIMUM RATINGS I 400 mA V 16 V PDISS 5.0 W @ TC = 25 OC TJ -65 OC to +200 OC TSTG -65 OC to +200 OC θθ JC 35 OC/W PACKAGE STYLE TO-39 (CE) 1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 = EMITTER |
Số phần tương tự - TP2314A |
|
Mô tả tương tự - TP2314A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |