công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STU1030PL bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STU1030PL bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 8 page P-Channel E nhancement Mode MOS FE T ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless otherwise noted) Parameter S ymbol Limit Unit Drain-S ource Voltage VDS V Gate-S ource Voltage VGS V Drain Current-Continuous @ TJ=125 C -Pulsed ID 18 50 A A A W IDM Drain-S ource Diode Forward Current IS Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and S torage Temperature R ange TJ, TS TG -55 to 175 C THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS a a a b 1 P reliminary May.28 2004 S amHop Microelectronics C orp. P R ODUC T S UMMAR Y V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max -18A 55 @ V GS = -10V 85 @ V GS = -4.5V F E AT UR E S -30V 45 30 S T U/D1030P L TO-252 and TO-251 Package. S uper high dense cell design for low R DS(ON). R ugged and reliable. S DU S E R IE S TO-252AA(D-PAK) S DD S E R IE S TO-251(l-PAK) G G S S D D S G D Thermal R esistance, Junction-to-Case Thermal R esistance, Junction-to-Ambient R JC 3 50 R JA /W C /W C 20 20 |
Số phần tương tự - STU1030PL |
|
Mô tả tương tự - STU1030PL |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |