công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BTB1412J3 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
BTB1412J3 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Cystech Electonics Corp. |
1 / 4 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C816J3 Issued Date : 2003.05.15 Revised Date : 2004.07.02 Page No. : 1/4 BTB1412J3 CYStek Product Specification Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1412J3 Features • Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.6 V (typical), at IC / IB = -4A / -0.1A • Excellent DC current gain characteristics • Complementary to BTD2118J3 Symbol Outline Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-Base Voltage VCBO -20 V Collector-Emitter Voltage VCEO -15 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V IC(DC) -5 Collector Current IC(Pulse) -10 *1 A Pd(TA=25℃) 1 Power Dissipation Pd(TC=25℃) 10 W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg -55~+150 °C Note : *1 . Single Pulse Pw=10ms BTB1412J3 TO-252 B:Base C:Collector E:Emitter B C E |
Số phần tương tự - BTB1412J3 |
|
Mô tả tương tự - BTB1412J3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |