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MCH5824 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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1 / 5 page MCH5824 No.8201-1/5 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 注文コード No. N8201 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3447)とショットキバリアダイオード(SS05015)を 1 パッケージに 内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・[MOS] ・ 低オン抵抗。 ・ 超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 ・[SBD] ・ 逆回復時間が短い。 ・ 低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 条件 定格値 unit [MOSFET 部] ドレイン・ソース電圧 VDSS 20 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±15 V ドレイン電流 (DC) ID 1.2 A ドレイン電流 (パルス) IDP PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% 4.8 A 許容損失 PD セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 0.6 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ [SBD 部] 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 15 V 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 15 V 平均整流電流 IO 0.5 A サージ順電流 IFSM 50Hz 正弦波 1 サイクル 3 A 接合部温度 Tj − 55 ∼+ 125 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ 単体品名表示:XA 21805PE TS IM ◎川浦 TB-00001213 MCH5824 |
Số phần tương tự - MCH5824 |
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