công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NE3508M04-T2 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - California Eastern Labs |
|
NE3508M04-T2 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - California Eastern Labs |
2 / 11 page NE3508M04 RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS(TA = +25 °C) PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT Drain to Source Voltage VDS --- 2 3 V I t n e r r u C n i a r D D --- 10 30 mA m B d 0 - - - - - - n i P r e w o P t u p n I ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = +25 °C) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Gate to Source Leak Current IGSO VGS=-3V --- 1 20 µA Saturated Drain Current IDSS VDS=2V, VGS=0V 60 90 120 mA Gate to Source Cutoff Voltage VGS(off) VDS=2V, ID=100 µA -0.35 -0.5 -0.65 V Trans conductance gm VDS=2V, ID=10mA 100 --- --- mS - - - F N e r u g i F e s i o N 0.45 0.9 dB a G n i a G d e t a i c o s s A VDS=2V, ID=10mA f 2GHz 12 14 --- dB Output Power at 1dB Gain Compression Point Po(1dB) VDS=3V, ID=30mA(Non-RF) f 2GHz --- 18 --- dBm The information in this document is subject to change without notice. PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION |
Số phần tương tự - NE3508M04-T2 |
|
Mô tả tương tự - NE3508M04-T2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |