STN4920 datasheet(1/9 Pages) VBSEMI

tên linh kiện	STN4920

Giải thích chi tiết về linh kiện	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

Download	9 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]

Trang chủ	www.VBsemi.com

Logo

1 / 9 page

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

•

TrenchFETPower MOSFET

•

100 % Rg Tested

•

100 % UIS Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Notebook System Power

•

Low Current DC/DC

PRODUCT SUMMARY

VDS (V)

RDS(on) ()

ID (A)

a

Qg (Typ.)

30

0.016 at VGS = 10 V

8.5

7.1

0.020 at VGS = 4.5 V

7.6

S1

D1

G1

D1

S2

D2

G2

D2

SO-8

5

6

7

8

Top View

2

3

4

1

N-Channel MOSFET

G1

D1

S1

N-Channel MOSFET

G2

D2

S2

Notes:

a. Based on TC = 25 °C.

b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

30

V

Gate-Source Voltage

VGS

± 20

Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)

TC = 25 °C

ID

8.5

A

TC = 70 °C

7.5

TA = 25 °C

7.2b, c

TA = 70 °C

5.9b, c

Pulsed Drain Current

IDM

30

Source-Drain Current Diode Current

TC = 25 °C

IS

2.8

TA = 25 °C

1.8b, c

Pulsed Source-Drain Current

ISM

30

Single Pulse Avalanche Current

L = 0.1 mH

IAS

10

Single Pulse Avalanche Energy

EAS

5

Maximum Power Dissipation

TC = 25 °C

PD

3.1

W

TC = 70 °C

2.0

TA = 25 °C

2.0b, c

TA = 70 °C

1.25b, c

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ, Tstg

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambientb, d

t

 10 s

RthJA

52

62.5

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady-State

RthJF

30

40

E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052

www.VBsemi.tw

STN4920

1

Số phần tương tự - STN4920

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Stanson Technology	STN4920	487Kb / 7P	Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	STN4920	1Mb / 5P	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
Stanson Technology	STN4920S8RG	487Kb / 7P	Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET
Stanson Technology	STN4920S8TG	487Kb / 7P	Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET

More results

Mô tả tương tự - STN4920

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SI7212DN	94Kb / 6P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 13-Jun-05
DinTek Semiconductor Co...	DTM4936	294Kb / 9P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4932DY	111Kb / 7P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. A, 22-Dec-08
Vishay Siliconix	SIZ340DT	372Kb / 14P	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Rev. B, 24-Mar-14
Analog Power	AM6926NH	398Kb / 5P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4276DY-T1-E3	232Kb / 14P	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Rev. A, 11-Apr-11
	SI4276DY	304Kb / 15P	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Rev. A, 31-May-10
	SI5906DU	164Kb / 10P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. A, 20-Jul-09
	SI7212DN	549Kb / 12P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. F, 14-Sep-09
Analog Power	AM4934N	95Kb / 3P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4936ADY	61Kb / 4P	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Rev. B, 13-Oct-03

More results

STN4920 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

STN4920 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

Số phần tương tự - STN4920

Mô tả tương tự - STN4920

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

bảng dữ liệu tải về

Link URL