công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SM6F25NSF bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
SM6F25NSF bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
4 / 8 page Fig. 7 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Fig. 8 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig. 9 - Maximum Safe Operating Area Fig. 10 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig. 11 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage Qg, Total Gate Charge (nC) 16 4 0 60 120 0 24 20 12 8 30 90 V DS = 520 V V DS = 325 V V DS = 130 V 150 VSD, Source-Drain Voltage (V) 0.1 1 10 100 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 T J = 150 °C T J = 25 °C V GS = 0 V V DS, Drain-to-Source Voltage (V) * V GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified I DM Limited BVDSS Limited 100 μs 1 ms 10 ms TC = 25 °C TJ = 150 °C Single Pulse Limited by R DS(on)* 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 Operation in this Area Limited by R DS(on) TJ, Case Temperature (°C) 5 10 15 20 25 25 50 75 100 125 150 0 TJ, Junction Temperature (°C) - 60 0 160 - 40 - 20 20 40 60 80 100 120 140 650 675 700 725 750 775 800 825 850 ID = 10 mA www.VBsemi.tw E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 SM6F25NSF 4 |
Số phần tương tự - SM6F25NSF |
|
Mô tả tương tự - SM6F25NSF |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |