công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AM4362N bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
AM4362N bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
3 / 4 page www.doingter.cn — 3 — Qg Total Gate Charge 2,3 VGS=4.5V, VDS=15V, ID=20A --- 11.1 22 nC Qgs Gate-Source Charge 2,3 --- 1.85 3.7 nC Qgd Gate-Drain “Miller” Charge 2,3 --- 6.8 13 nC Drain-Source Diode Characteristics VSD Source-Drain Diode Forward Voltage 3 VGS=0V,IS=1A,TJ=25℃ --- --- 1 V IS Continuous Source Current VG=VD=0V , Force Current --- --- 20 A ISM Pulsed Source Current --- --- 40 A Notes: Typical Characteristics: (T C=25℃ unless otherwise noted) 1. Repetitive Rating : Pulsed width limited by maximum junction temperature. 2. The data tested by pulsed , pulse width ≦ 300us , duty cycle ≦ 2%. 3. Essentially independent of operating temperature. 1 TC , Case Temperature (℃) Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC TJ , Junction Temperature (℃) Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ TJ , Junction Temperature (℃) Fig.3 Normalized Vth vs. TJ Qg , Gate Charge (nC) Fig.4 Gate Charge Waveform AM 4362N |
Số phần tương tự - AM4362N |
|
Mô tả tương tự - AM4362N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |