công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese▼

Delete All
ON OFF
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF Download HTML

PK648BA Datasheet(PDF) 2 Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

tên linh kiện PK648BA
Nội dung chi tiết  N-Channel Enhancement Mode MOSFET
tải về  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
nhà sản xuất  UNIKC [Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
Trang chủ  http://www.unikc.com.cn/
Logo UNIKC - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

  PK648BA bảng dữ liệu HTML 1Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 2Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 3Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 4Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 5Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 6Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 7Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD PK648BA bảng dữ liệu HTML 8Page - Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 8 page
background image
PK648BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
MIN
TYP
MAX
30
1.35
1.75
2.35
±100
nA
1
10
3.3
5.2
2.6
3.4
60
S
2071
329
225
1.9
Ω
VGS =10V
40.9
VGS =4.5V
21.2
6.3
9.6
26
12
50
10
35
A
1
V
25
nS
12
nC
1Pulse test : Pulse Width
 300 msec, Duty Cycle  2%.
2Independent of operating temperature.
3Package limitation current is 26A.
VGS = 4.5V, ID = 15A
V
IF = 18A, dlF/dt = 100A / mS
UNITS
Coss
VDS = 0V, VGS = ±20V
gfs
RDS(ON)
SYMBOL
V(BR)DSS
TEST CONDITIONS
STATIC
nC
VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz
Qgs
mA
DYNAMIC
VDS = 24V, VGS = 0V
Ciss
VDS = 5V, ID = 18A
pF
IDSS
Qrr
Reverse Recovery Charge
Continuous Current
3
Forward Voltage
1
Reverse Recovery Time
IS
VSD
Forward Transconductance
1
trr
IF = 18A, VGS = 0V
nS
VDS = 15V,
ID @ 18A, VGS = 10V, RGEN = 6Ω
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C)
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-On Delay Time
2
Rise Time
2
Turn-Off Delay Time
2
Fall Time
2
Gate Threshold Voltage
Drain-Source On-State
Resistance
1
Rg
Zero Gate Voltage Drain
Current
IGSS
VDS = VGS, ID = 250mA
VGS = 0V, ID = 250mA
Gate-Body Leakage
VGS(th)
Drain-Source Breakdown
Voltage
VDS = 15V, ID = 18A
Gate-Drain Charge
2
Gate-Source Charge
2
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Qg
Total Gate Charge
2
Qgd
Crss
Input Capacitance
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz
PARAMETER
Output Capacitance
VGS = 10V , ID = 18A
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C
LIMITS
REV 1.0
2
2016/11/4



Html Pages

1  2  3  4  5  6  7  8 


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL




Privacy Policy
ALLDATASHEET.VN
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ]  

Alldatasheet là?   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Đánh dấu trang   |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved© Alldatasheet.com


Site nhân bản
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn