công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI2301CDS-T1-GE3 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
SI2301CDS-T1-GE3 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
3 / 9 page TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted) Output Characteristics On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage Gate Charge 0 5 10 15 20 00.5 11.5 2 V DS - Drain-to-Source Voltage (V) V GS = 5 V thru 3 V V GS = 1.5 V V GS = 2.5 V V GS = 2 V 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0 5 10 15 20 I D -Drain Current (A) V GS = 2.5 V V GS = 4.5 V V GS = 10 V 0 1 2 3 4 5 0369 12 Q g - Total Gate Charge (nC) V DS = 16 V V DS = 10 V I D = 5.1 A V DS = 5 V Transfer Characteristics Capacitance On-Resistance vs. Junction Temperature 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1 1.5 2 V GS - Gate-to-Source Voltage (V) T C = 125 °C T C = - 55 °C T C = 25 °C 0 350 700 1050 1400 0 5 10 15 20 V DS - Drain-to-Source Voltage (V) C iss C oss C rss 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 T J - Junction Temperature (°C) V GS = 10 V V GS = 4.5 V www.VBsemi.tw E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 SI2301CDS-T1-GE3 3 |
Số phần tương tự - SI2301CDS-T1-GE3 |
|
Mô tả tương tự - SI2301CDS-T1-GE3 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |