công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7C06-40AITE bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7C06-40AITE bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - NXP Semiconductors |
9 / 14 page BUK7C06-40AITE_4 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved. Product data sheet Rev. 04 — 23 June 2005 9 of 14 Philips Semiconductors BUK7C06-40AITE N-channel TrenchMOS standard level FET IF = 250 µAVF at Tj =25 °C; IF = 250 µA Fig 15. Forward voltage of temperature sense diode as a function of junction temperature; typical values Fig 16. Temperature coefficient of temperature sense diode as a function of forward voltage; typical values ID =25A VGS =0V Fig 17. Drain-sense current ratio as a function of gate voltage; typical values Fig 18. Source (diode forward) current as function of source-drain (diode forward) voltage; typical values Tj (°C) 0 200 150 50 100 03ne84 500 600 700 VF (mV) 400 03ne85 VF (mV) 645 675 665 655 −1.50 −1.60 −1.70 SF (mV/K) −1.40 max typ min 003aab048 400 500 600 700 800 4 8 12 16 20 VGS (V) ID/Isense 03ni27 VSD (V) 0 1.2 0.8 0.4 50 25 75 100 IS (A) 0 Tj = 175 °C 25 °C |
Số phần tương tự - BUK7C06-40AITE |
|
Mô tả tương tự - BUK7C06-40AITE |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |