công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK9610-55A bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK9610-55A bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 14 page Philips Semiconductors BUK9510-55A; BUK9610-55A TrenchMOS™ logic level FET Product data Rev. 01 — 20 August 2001 7 of 14 9397 750 08555 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved. ID = 1 mA; VDS =VGS Tj =25 °C; VDS =VGS Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature. Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of gate-source voltage. Tj =25 °C; VDS =25V VGS = 0 V; f = 1 MHz Fig 11. Forward transconductance as a function of drain current; typical values. Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values. 03aa33 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -60 0 60 120 180 Tj ( oC) VGS(th) (V) max typ min 03aa36 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 VGS (V) ID (A) max typ min 03nd72 0 20 40 60 80 0 2040 6080 ID (A) gfs (S) 03nd77 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 10-2 10-1 1 10 102 VDS (V) C (pF) Ciss Coss Crss |
Số phần tương tự - BUK9610-55A |
|
Mô tả tương tự - BUK9610-55A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |