công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK9609-55A bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK9609-55A bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors |
8 / 14 page Philips Semiconductors BUK95/9609-55A TrenchMOS™ logic level FET Product data Rev. 01 — 21 February 2002 8 of 14 9397 750 09229 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved. VDS =25V Tj =25 °C; ID =25A Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a function of gate-source voltage; typical values. Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on gate charge; typical values. VGS =0V Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values. 03nh62 0 40 80 120 012 3 4 VGS (V) ID (A) 175 °C Tj = 25 °C handbook, halfpage 020 40 60 5 0 4 3 2 1 03nh60 VGS (V) QG (nC) VDD = 14 V 44 V 03nh59 0 25 50 75 100 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 VSD (V) IS (A) 175 °C Tj = 25 °C |
Số phần tương tự - BUK9609-55A |
|
Mô tả tương tự - BUK9609-55A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |