công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDD6676AS_NL bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FDD6676AS_NL bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Fairchild Semiconductor |
6 / 8 page FDD6676AS Rev A(X) Typical Characteristics (continued) SyncFET Schottky Body Diode Characteristics Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel with a MOSFET. Figure 12 shows the reverse recovery characteristic of the FDD6676AS. Figure 12. FDD6676AS SyncFET body diode reverse recovery characteristic. For comparison purposes, Figure 13 shows the reverse recovery characteristics of the body diode of an equivalent size MOSFET produced without SyncFET (FDD6676A). Figure 13. Non-SyncFET (FDD6676A) body diode reverse recovery characteristic. Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high temperature and high reverse voltage. This will increase the power in the device. 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 0 5 10 15 20 25 30 VDS, REVERSE VOLTAGE (V) TA = 125 oC TA = 25 oC TA = 100 oC Figure 14. SyncFET body diode reverse leakage versus drain-source voltage and temperature. TIME : 12.5ns/div TIME : 12.5ns/div |
Số phần tương tự - FDD6676AS_NL |
|
Mô tả tương tự - FDD6676AS_NL |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |