công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FQPF19N20C bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FQPF19N20C bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Fairchild Semiconductor |
4 / 10 page Rev. A, March 2004 ©2004 Fairchild Semiconductor Corporation 10 0 10 1 10 2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 µs 10 ms 100 µs DC 1 ms Operation in This Area is Limited by R DS(on) Notes : ※ 1. T C = 25 oC 2. T J = 150 oC 3. Single Pulse V DS, Drain-Source Voltage [V] 10 0 10 1 10 2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10ms 100µs DC 1ms Operation in This Area is Limited byR DS(on) Notes : ※ 1. T C = 25 oC 2. T J = 150 oC 3. Single Pulse V DS, Drain-Source Voltage [V] 25 50 75 100 125 150 0 5 10 15 20 T C, Case Temperature [ ] ℃ -100 -50 0 50 100 150 200 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Notes : ※ 1. V GS = 10 V 2. I D = 9.5 A T J, Junction Temperature [ oC] -100 -50 0 50 100 150 200 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 Notes : ※ 1. V GS = 0 V 2. I D = 250 µ A T J, Junction Temperature [ oC] Typical Characteristics (Continued) Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area for FQP19N20C Figure 10. Maximum Drain Current vs Case Temperature Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs Temperature Figure 8. On-Resistance Variation vs Temperature Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area for FQPF19N20C |
Số phần tương tự - FQPF19N20C |
|
Mô tả tương tự - FQPF19N20C |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |