công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK954R2-55B bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK954R2-55B bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
3 / 15 page Philips Semiconductors BUK95/964R2-55B TrenchMOS™ logic level FET Product data Rev. 02 — 8 October 2002 3 of 15 9397 750 10277 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved. VGS ≥ 5V Fig 1. Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature. Fig 2. Continuous drain current as a function of mounting base temperature. Tmb =25 °C; IDM single pulse. Fig 3. Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage. 03na19 0 40 80 120 0 50 100 150 200 Tmb (°C) Pder (%) 03ng54 0 50 100 150 200 25 50 75 100 125 150 175 200 Tmb (ºC) ID (A) Capped at 75 A due to package P der P tot P tot 25 C ° () ----------------------- 100% × = 03ng55 1 10 102 103 10-1 1 10 102 VDS (V) ID (A) DC 100 ms 10 ms 1 ms tp = 10 µs 100 µs Capped at 75 A due to package Limit RDSon = VDS/ID |
Số phần tương tự - BUK954R2-55B |
|
Mô tả tương tự - BUK954R2-55B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |