công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMBD717 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
MMBD717 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
1 / 3 page Production specification Schottky Barrier Diode MMBD717 F071 www.gmesemi.com Rev.A 1 FEATURES Extremely fast switching speed. Extremely low forward voltage- 0.28V(Typ)@IF=1mA. Common anode. APPLICATIONS High speed switching application ,circuit protection SOT-323 and voltage clamping. ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code MMBD717 B3 SOT-323 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Characteristic Symbol Limits Unit DC Reverse Voltage VR 20 V Power Dissipation Pd 200 mW Operating Junction Temperature Range Tj 150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55 to +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Characteristic Symbol Min TYP MAX UNIT Test Condition Reverse Breakdown Voltage V(BR)R 20 - V IR= 10μA Forward Voltage VF - 0.28 0.37 V IF=1.0mA Reverse Leakage Current IR - 0.05 1.0 μA VR=10V Diode Capacitance CD - 2.0 2.5 pF VR=1.0V,f=1MHz Pb Lead-free |
Số phần tương tự - MMBD717_17 |
|
Mô tả tương tự - MMBD717_17 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |