công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE1561BEBM+H bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
ACE1561BEBM+H bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
1 / 6 page ACE1561BE P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.1 1 Description The ACE1561BE uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V,ID = -3A RDS(ON)=90mΩ @ VGS= -4.5V RDS(ON)=110mΩ @ VGS= -2.5V SOT23-3 Package Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±8 V Drain Current (Continuous) TA=25℃ ID -3 A TA=70℃ -2 Drain Current (Pulsed) IDM -12 A Power Dissipation TA=25℃ PD 1.3 W Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type SOT-23-3 Ordering information ACE1561BE XX+H BM: SOT-23-3 Pb - free Halogen - free |
Số phần tương tự - ACE1561BEBM+H |
|
Mô tả tương tự - ACE1561BEBM+H |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |