công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRFP90N20D bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
IRFP90N20D bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
1 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP90N20D,IIRFP90N20D · FEATURES · Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤23mΩ · Enhancement mode: · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · DESCRITION · High Frequency DC-DC Converters · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-Continuous 94 A IDM Drain Current-Single Pulsed 380 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 580 W Tj Max. Operating Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(j-c) Channel-to-case thermal resistance 0.26 ℃ /W Rth(j-a) Channel-to-ambient thermal resistance 40 ℃ /W |
Số phần tương tự - IRFP90N20D |
|
Mô tả tương tự - IRFP90N20D |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |