 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRF250P225 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
||||||||||||||||||||||||||||||
IRF250P225 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc website：www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF250P225，IIRF250P225 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID=1mA 250 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID=270μA 2.0 4.0 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS=10V; ID=41A 22 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= 20V 0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=200V; VGS= 0V 1.0 μ A VSD Diode forward voltage IS=41A, VGS = 0V 1.2 V |
Số phần tương tự - IRF250P225 |
|
Mô tả tương tự - IRF250P225 |
|
|
|
Link URL |
| Chính sách bảo mật |
| ALLDATASHEET.VN |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
